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        產(chǎn)品中心

        Product Center

        當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心萬用表&功率計&測溫儀5.泰克2600-PCT-2B泰克2600-PCT-2B參數(shù)曲線跟蹤儀

        泰克2600-PCT-2B參數(shù)曲線跟蹤儀

        產(chǎn)品簡介

        泰克2600-PCT-2B參數(shù)曲線跟蹤儀
        開發(fā)和使用 MOSFET、IGBT、二極管和其他大功率器件,需要全面的器件級檢定,如擊穿電壓、通態(tài)電流和電容測量。 Keithley 高功率參數(shù)化波形記錄器系列的配置支持所有的設(shè)備類型和測試參數(shù)。 Keithley 參數(shù)化波形記錄器配置包括檢定工程師快速開發(fā)全面測試系統(tǒng)所需的一切。

        產(chǎn)品型號:2600-PCT-2B
        更新時間:2024-11-26
        廠商性質(zhì):代理商
        訪問量:1236
        詳細(xì)介紹在線留言
        品牌泰克產(chǎn)地類別進(jìn)口
        應(yīng)用領(lǐng)域電子

        泰克2600-PCT-2B參數(shù)曲線跟蹤儀

        高性能器件特性分析

        開發(fā)和使用MOSFETS、IGBTs、二極管及其他高功率器件要求完善的器件級特性分析,如擊穿電壓、開態(tài)電流和電容測量。吉時利一系列高功率參數(shù)曲線跟蹤儀配置支持全系列器件類型和測試參數(shù)。吉時利參數(shù)曲線跟蹤儀配置包括特性分析工程師迅速開發(fā)完整的測試系統(tǒng)所需的一切。ACS基本版軟件提供了完整的器件特性分析,包括實時跟蹤模式及全部參數(shù)模式,實時跟蹤模式用來迅速檢查基礎(chǔ)器件參數(shù), 如擊穿電壓;全部參數(shù)模式用來提取精確的器件參數(shù)。ACS基本版超越了傳統(tǒng)曲線跟蹤儀接口的能力,提供了廣泛的一系列樣本庫。更重要的是,用戶可以全面控制所有測試資源,創(chuàng)建以前在曲線追蹤儀上不能26實00現(xiàn)-P的C更T-先4B進(jìn)型的,測試。

        分析各種功率器件類型的電特性,包括:

        MOSFETIGBTTriac電阻器
        BJT二極管電容器等等...

        分析各種功率器件類型的電特性,包括:

        擊穿電壓 (Bvdss, Bvceo)漏極/集電極泄漏 (Idss, Ir/Icbo,Iceo)閾值或截止電壓 (Vth, Vf, Vbeon)電容 (Ciss, Coss, Crss)
        開態(tài)電流 (Vdson, Vcesat, Vf)機極/基極泄漏 (Igss, Ib)正向傳輸 (yfs, Gfs, Hfe, gain)等等...

        吉時利參數(shù)曲線跟蹤儀同時支持封裝部件測試和晶圓級測試。

        主要特點:

        • 為*性能價格比設(shè)計的完整的 解決方案
        • 現(xiàn)場可升級,可重新配置 – 把PCT 轉(zhuǎn)換成可靠性或晶圓分類測試儀
        • 可以配置功率電平:
          –從200V到3kV
          –從1A到100A
        • 寬動態(tài)范圍:
          –從μV到kV
          –從fA到100A
        • 范圍全面的電容電壓(C-V)功能:
          –從fF到μF
          –支持2端子、3端子和4端子器件
          –高達(dá)3kV DC偏置
        • 高性能測試夾具支持多種封裝類型

        應(yīng)用

        • 功率半導(dǎo)體器件特性分析與測試
        • GaN、SiC、LDMOS以及其他器件
        • 特性分析
        • 功率器件可靠性研究 器件檢測與質(zhì)量認(rèn)證

        吉時利參數(shù)曲線跟蹤儀同時支持封裝部件測試和晶圓級測試。

        吉時利參數(shù)曲線跟蹤儀配置是完整的特性分析工具,包括功率器件分析所需的主要要素。測量通道包括吉時利數(shù)字源表®源測量單元(SMU)儀器和選配的多頻率電容-電壓(C-V) 表。這些儀器的動態(tài)范圍和準(zhǔn)確度比傳統(tǒng)曲線跟蹤儀高出若干量級。

        完整的系統(tǒng)附件

        為了實現(xiàn)這種性能,吉時利公司已經(jīng)開發(fā)出一系列高精密電纜,實現(xiàn)與吉時利8010型高功率器件測試夾具或8020型高功率接口面板的連接,前者用于封裝部件測試,后者用于晶圓級測試。對于高電壓通道,定制三軸電纜可以提供保護(hù)路徑,支持快速穩(wěn)定和超低電流,包括在3kV全高壓情況下。對于高電流通道,低電感電纜可以提供快速上升時間脈沖,使器件自熱效應(yīng)達(dá)到小。

        高壓電容-電壓(C-V)

        測試器件電容相對DC電壓的關(guān)系正變得越來越重要。吉時利提供了PCT-CVU型多頻率電容電壓表。在與選配的200V或3kV偏置T型裝置結(jié)合使用時,可以在兩端子、三端子或四端子器件上測量電容相對電壓的關(guān)系。可以測量從pF到100nF的電容,支持10kHz ~ 2MHz的測試頻率。ACS基本版軟件提供了60多種內(nèi)置C-V測試,包括MOSFET Ciss、Coss、Crss、Cgd、Cgs、Cds及全套其他器件,如BJTs和二極管。一如既往,用戶可以實現(xiàn)全面控制,在ACS基本版軟件中開發(fā)自己的測試算法。

        配置選型指南
        型號1集電極/漏極電源2階躍發(fā)生器基極/柵極電源輔助電源
        高壓模式高流模式
        低功率2600-PCT-1B200 V/10 A200 V/10 A200 V/10 AN/A
        高流2600-PCT-2B200 V/10 A40 V/50 A200 V/10 A200 V/10 A
        高壓2600-PCT-3B3 kV/120 mA 200 V/10 A200 V/10 A200 V/10 A
        高流和高壓2600-PCT-4B3 kV/120 mA 40 V/50 A200 V/10 A200 V/10 A

        1.關(guān)于定制配置,請與吉時利現(xiàn)場應(yīng)用工程師聯(lián)系。
        2. 通過添加2651A型號,可以將高電流模式增加到50A或100A。
        3. 可以在任何配置中增加PCT-CVU多頻率電容表。

        半導(dǎo)體參數(shù)測試軟件,適用于組件與分立器件

        ACS基本版本軟件是專為利用吉時利儀器的高性能能力而開發(fā) 的,它包括幾個履行常見高功率器件測試的樣本庫。與其他系 統(tǒng)不同的是,該軟件在測量通道配置方面,給用戶帶來幾乎不 受限制的靈活性,可以創(chuàng)建傳統(tǒng)曲線跟蹤儀無法實現(xiàn)的測試。

        多測試模式允許對一個器件進(jìn)行多項測試。

        跟蹤模式支持器件的交互測試。

        與傳統(tǒng)曲線跟蹤儀相比,PCT圖形提供了高分辨率屏幕數(shù)據(jù)分析功能、完整的圖形定制能力,并能夠簡便地報告到任何字處理軟件或報告軟件。

        泰克2600-PCT-2B參數(shù)曲線跟蹤儀

         

        典型功率晶體管參數(shù)

        參數(shù)符號測試方法1大量程典型*分辨率典型精度
        擊穿電壓Bvdss, BvceoId-Vd或Id(脈沖)±3000 V2100 µV, 10 fA0.05% rdg + 0.05% rng
        開態(tài)電流(直流)Vdson, Vcesat, VfId–Vd±204 ,可選:±40A4100 nA, 1 µV0.05% rdg + 0.05% rng
        開態(tài)電流(脈沖)Vdson, Vcesat, VfId–Vd±50A4,可選:±100A4100 µA, 1 µV0.05% rdg + 0.05% rng
        漏極/集電極漏電流Idss, Ir/Icbo, IceoId–Vd±20 mA @ 30002, 510fA, 1µV0.2% rdg + 1% rng
        柵極/基極漏電流Igss, IbIg–Vg±1A或±10 A脈沖310 fA, 1 µV0.2% rdg + 1% rng
        開態(tài)閾值電壓或截止電壓Vth,Vf,Vbeon,VcesatId–Vg±200V310fA,1µV0.2% rdg + 0.5% rng
        正向傳輸導(dǎo)納或正向跨導(dǎo)|yfs| Gfs, Hfe, gainVd–Id@Vds1 ms ~1000s61 pA, 1 µV1%
        開態(tài)電阻RDS(on), VcesatVd–Vg@ Id<100μΩ710μQ,1μV1%
        輸入電容CissC–V 100 kHz100 nF 8±3 kV10 fF, 100 µV典型值5%+2pF
        輸出電容CossC–V 100 kHz100 nF 8±3 kV10 fF, 100 µV典型值5%+2pF
        反向傳輸電容CrssC–V 100 kHz100 nF 8±3 kV10 fF, 100 µV典型值5%+2pF

        1. 用于提取參數(shù)的測試方法。僅列出典型MOSFET,其他器件使用的方法類似。
        2. 2657A型高功率系統(tǒng)數(shù)字源表儀器。
        3. 2636B型數(shù)字源表或4210型源測量單元(SMU)儀器。
        4. 2651A型高功率系統(tǒng)數(shù)字源表儀器或者可選擇雙2651A型高功率系統(tǒng)數(shù)字源表儀器。
        5. 在3000V電壓時大電流20mA,在1500V電壓時大電流120mA。
        6. 典型提取能力(示例: 1mA/1V ~ 1A/1mV)。
        7. 典型提取能力(示例: 1mV/10A)。
        8. 使用PCT-CVU和CVU-3K-KIT時,大±200V直流 (±3kV)偏置。

        8010高功率器件測試夾具

        8020高功率接口面板

        高電流、低電感電纜

        高電壓、低噪聲三同軸電纜

        2600-PCT-4B型,帶有8010型測試夾具

        典型測試簡介

        器件泄漏擊穿增益開態(tài)
        雙極型晶體管IEBO, IECO, IEVEB, ICVCBBVCBO, BVCEI, BVCEO, BVCEV, BVEBO, BVECOHFEIBCO, IBEO, IBICVBE, IBVBE, ICBO, ICEV, ICVCE_BiasIB, ICVCE_BiasVB, ICVCE_StepIB, ICVCE_StepVB, VBCO, VCE
        MOSFETIDL, IDS_ISD, IGL, ISLBVDSS, BVDSV, BVGDO, BVGDS, BVGSOGMIDVD_BiasVG, IDVD_StepVG, IDVG_BiasVD, IDVG_StepVD, IDVG_StepVSUB, IGVG, VTCI, VTEXT, VTEXT_IISQ
        二極管IRDVRDVBRIRDNADYNAMICZ, IFDVFD, VFDIFD, VRDIRD
        電阻器NANANAIV
        電容器IVCiss, Coss, Crss, Cgd, Cds, CgsNAIndependent bias on up to 4 terminals.

        公式函數(shù)簡介

        類型

        算術(shù)

        ABS, AVG, DELTA, DIFF, EXP, LN, LOG, LOG10, SQRT

        參數(shù)提取

        GMMAX, RES, RES_4WIRE, RES_AVG, SS, SSVTCI, TTF_ DID_LGT, TTF_LGDID_T, TTF_DID_T, TTF_LGDID_LGT, VTCI, VTLINGM, VTSATGM

        擬合

        EXPFIT, EXPFITA, EXPFITB, LINFIT, LINFITSLP, LINFITXINT, LINFITYINT, REGFIT, REGFITSLP, REGFITXINT, REGFITYINT, REGFIT_LGX_LGY, REGFIT_ LGX_Y, REGFIT_X_LGY, TANFIT, TANFITSLP,TANFITXINT, TANFITYINT

        操作

        AT, FINDD, FINDLIN, FINDU, FIRSTPOS, JOIN, LASTPOS, MAX, MAXPOS, MIN, MINPOX, POW, SMOOTH

        在線留言

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